(資料圖片僅供參考)

如下電路圖所示，此種應(yīng)用，由PMOS來(lái)進(jìn)行電壓的選擇，當(dāng)VIO9V電壓存在時(shí)，此時(shí)電壓全部由VIO9V提供，將PMOS關(guān)閉，VBAT4.2V不提供電壓給VBAT_OUT。而當(dāng)VIO9V為低時(shí)，VBAT_OUT由VBAT4.2V供電。注意R120的接地，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低，確保PMOS的正常開啟。D1和D2的作用在于防止電壓的倒灌，D2可以省略。這里要注意到實(shí)際上該電路的DS接反，這樣由體二極管導(dǎo)通導(dǎo)致了開關(guān)管的功能不能達(dá)到，實(shí)際應(yīng)用要注意。

下圖這個(gè)電路，控制信號(hào)G_CTRL控制VB4.2+是否給VCC_OUT供電。此電路中，源漏兩端沒(méi)有接反，R2與R3存在的意義在于R2控制柵極電流不至于過(guò)大，R3控制柵極的常態(tài)，將R3上拉為高，截止PMOS。同時(shí)也可以看作是對(duì)控制信號(hào)的上拉，當(dāng)MCU內(nèi)部管腳并沒(méi)有上拉時(shí)，即輸出為開漏時(shí)，并不能驅(qū)動(dòng)PMOS關(guān)閉，此時(shí)，就需要外部電壓給予的上拉，所以電阻R3起到了兩個(gè)作用。R2可以更小，到100歐姆也可。

如下放倒灌電路，也可以使用Pmos實(shí)現(xiàn)電路的防反接保護(hù)功能。當(dāng)電源接反時(shí),從而使得PMOS不導(dǎo)通，后級(jí)電路斷開。電路如下圖，加入穩(wěn)壓管是為了更好的保護(hù)MOS管，這里保護(hù)過(guò)程和NMOS管差不多。