
三極管最典型的應(yīng)用——MOSFET驅(qū)動電路
(資料圖)
說實話,這些電路大多都是在面試或者課本里出現(xiàn),考察一些大家對三極管的理解。但真正在實際電路中,很少看到三極管工作在放大區(qū)。說到這里,也給在學(xué)校的大學(xué)生們吃個定心丸,課本里一天天“集電極正偏”,“共集共射”這個極正偏那個極反偏,說實話在工作里沒多大用處,你把這些題都做會也設(shè)計不出來實際的電路;設(shè)計實際電路的工程師也不一定會解題。
所以不必被這些圖嚇著,在實際應(yīng)用中,更多的,三極管被用來作為邏輯,或者驅(qū)動電路,那么更多的是了解其開關(guān)特性就足夠了。今天來講一個在實際案例中使用的比較多的一個場景,就是三極管作為mosfet的驅(qū)動電路:
先放一張Pmos的圖,以便方便對應(yīng)下面應(yīng)用的圖中各個極的名稱。好的,然后我們直接跳到下面這個實際電路中(假設(shè)M1是PMOS)R1這里畫的有問題請忽略那一條線。
先大致看一下這個電路的邏輯。當(dāng)三極管Q1的基極驅(qū)動為低電平,Q1不導(dǎo)通,PMOS M1的Vgs沒有電壓差,M1右側(cè)無電壓;當(dāng)三極管Q1的基極驅(qū)動為高電平,Q1導(dǎo)通,PMOS的Vgs接近-12V,M1導(dǎo)通,右側(cè)為V2輸入電壓12V。當(dāng)然順便寫一下Pmos導(dǎo)通的條件,我知道很多人都不會記得:
PMOS(P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)導(dǎo)通的條件是其柵極電位低于源極電位,形成正向偏置,使得溝道中形成一個可導(dǎo)電的電子通道,從而形成漏極-源極導(dǎo)通的通路。當(dāng)PMOS的柵極電位低于源極電位一定的閾值電壓時,漏極-源極通路的電阻會顯著降低,PMOS器件就開始導(dǎo)通了。(哪個是柵極,源極,漏極對照上面的圖)
理解了原理,我們更進(jìn)一步,如何給電阻電容取值。
先看連接Pmos gate的
R2:對于Pmos來說,gate上的阻抗很大,所以R2可以選擇較大的電阻,這里流過它的電流無論如何都很低。
R3:選擇10K,經(jīng)驗法則,當(dāng)三極管導(dǎo)通時,流過它的電流為12/10K=1.2mA. 這里需要返回去查三極管的手冊,2N3904查到電流放大倍數(shù)大約在80左右,所Ib=1.2mA/80=15uA。
R1:根據(jù)Ib的電流就很容易算出R1的阻值,假設(shè)三極管的驅(qū)動電壓為3.3V,那么R1就為(3.3-0.7)/15uA=173K。
我們上面剛剛說過,多數(shù)三極管的應(yīng)用 ,我們根本不會用到其放大區(qū)的功能。
當(dāng)Ic已知時,根據(jù)三極管的特性曲線,可以得到對應(yīng)的最大Ib值,也就是使三極管處于放大區(qū)的臨界值。如果Ib超過了這個臨界值,三極管就可能進(jìn)入飽和區(qū),導(dǎo)致輸出信號失真。
那我們是希望其進(jìn)入飽和區(qū),所以R1選擇比173KΩ小就ok,這里我們選擇了10K。
最后的最后,再講講為什么MOSFET需要三極管來驅(qū)動,當(dāng)前沒有看到一篇文章來講這個事情,可能大多數(shù)工程師也是根據(jù)過往的經(jīng)驗法則。
在MOSFET開關(guān)電路中,使用三極管作為驅(qū)動電路可以帶來以下幾個好處:
降低開關(guān)電路的驅(qū)動電壓要求:MOSFET需要一定的門極電壓才能開啟,但在實際應(yīng)用中,需要對門極電壓進(jìn)行一定程度的升壓以達(dá)到要求的電壓水平。使用三極管作為驅(qū)動電路可以通過其電壓放大功能,將門極電壓升高到所需的水平,從而降低了對驅(qū)動電壓的要求。
提高開關(guān)速度和響應(yīng)速度:使用三極管作為驅(qū)動電路可以提供更高的驅(qū)動電流,從而加快MOSFET的開關(guān)速度和響應(yīng)速度,降低開關(guān)過程中的功耗和損耗。
提高開關(guān)效率和穩(wěn)定性:由于三極管具有較高的電壓放大系數(shù)和電流放大系數(shù),可以提供穩(wěn)定的電流和電壓輸出,從而提高開關(guān)電路的效率和穩(wěn)定性。
需要注意的是,使用三極管作為MOSFET驅(qū)動電路也存在一些缺點(diǎn),如驅(qū)動電路復(fù)雜度較高、功耗較大等,因此在實際應(yīng)用中需要根據(jù)具體情況進(jìn)行權(quán)衡和選擇。
最后再說一下C1的作用,mosfet和三極管一樣,都比較靈敏,這里為了防止誤導(dǎo)通,所以增加這個RC。
審核編輯:湯梓紅
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