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2023/04/10
(相關資料圖)
提出了一種基于大電流導通壓降的Si IGBT和SiC MOSFET結溫在線監測方法
提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件結溫標定方法,實現了低自然抗干擾結溫標定。
提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導通壓降及電流在線檢測電路,設計了兼具結溫監測功能的驅動電路,并提出了- -種結溫反推方法,提升了結溫在線監測精度。
實驗驗證了所提方法的有效性和準確性。
編輯:黃飛
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