降噪

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除選擇低噪聲質量的LDO外，您還可以采用幾種技術來確保您的LDO具有最低噪聲特性。這些技術包括使用降噪和前饋電容器。我將在下一篇博文中探討使用前饋電容器。

降噪電容器

TI的許多低噪聲LDO系列都具有專門用作“NR/SS”的專用引腳，如圖 3 所示。

圖 3：具有NR/SS引腳的NMOS LDO

該引腳的功能有兩個：它用于過濾來自內部參考電壓的噪聲，及降低啟動過程中的壓擺率或啟用LDO。

為該引腳添加一個電容器(CNR/SS)，就可以形成具有內部電阻的RC濾波器，有助于把由參考電壓生成的無用噪聲分流。由于參考電壓是噪聲的主要來源，增加電容可推送左側低通濾波器的截止頻率。圖 4 顯示了該電容器對輸出噪聲的作用結果。

圖 4：TPS7A91噪聲頻譜密度 vs. 頻率和CNR/SS

如圖 4 所示，更高的CNR/SS值會產生更理想的噪聲值。當達到某個點后，再增加電容值也不再能夠降低噪聲。其余噪聲來自誤差放大器和FET等。

增加電容器還在啟動期間形成了電阻電容延遲，這將使輸出電壓以較低速率上升。當輸出或負荷中出現了大容量電容，有益的做法是降低啟動電流。

等式 1 中啟動電流等于：

為降低啟動電流，您必須減小輸出電容或降低壓擺率。幸好，CNR/SS 有助實現后者，如圖 5 TPS7A85所示。

圖 5：TPS7A85的啟動 vs. CNR/SS

如您所見，增加CNR/SS值會延長啟動時間，可防止出現尖峰啟動電流和潛在可能觸發電流值達到極限的情況。

低噪聲LDO對于確保凈化直流電源至關重要。選擇具有低噪聲屬性的LDO和合理利用都不容忽視，這樣才能保障盡量凈化的輸出。

審核編輯：湯梓紅