基礎知識

結型場效應管柵極反偏但仍有電流，MOS場效應管柵極絕緣，沒有電流。

結型場效應管（JFET）的輸入電阻一般可達10e6 ～10e9 Ω，這個電阻從本質上來說是PN結的反向電阻，由于PN結在反向偏置時總會有一定量的反向電流存在，這就限制了輸入電阻的進一步提高。與JFET不同，MOS場效應管的柵極處于不導電（絕緣）狀態，它是利用半導體表面的電場效應進行工作的，也稱為表面場效應器件，所以輸入電阻可大為提高，最高可達10e15Ω。

(資料圖)

MOS場效應管是以二氧化硅為絕緣層的金屬-氧化物-半導體（Metal-Oxide-Semiconductor）場效應管，簡稱為MOSFET。MOSFET的柵極與溝道之間由絕緣層隔離，輸入電阻比JFET高得多。此外，MOSFET因集成工藝簡單，集成密度很大，而成為現代超大規模集成電路的主角。

MOSFET有增強型（E型）和耗盡型（D型）兩類，其中每一類又有N溝道和P溝道之分：

由于反型層屬于電子導電型半導體層[N]，而漏區和源區也是N型半導體，因此，反型層與漏區和源區之間不再有PN結勢壘，而形成導電溝道。

工作原理

大信號特征方程

小信號模型

場效應管與雙極性管的比較

審核編輯：湯梓紅