導讀

NMOS晶體管工作在線性區(qū)時，漏源兩端的溝道存在阻性連接，以下文字對這種阻性連接進行簡單介紹。

NMOS晶體管工作在線性區(qū)時的漏源電流表達式為式（1），在該工作區(qū)下阻性溝道直接連接漏源兩端，溝道中任意位置氧化層兩端的電壓只要超過閾值電壓，就能產(chǎn)生這種阻性連接。

(相關資料圖)

（1）

任意位置氧化層兩端的電壓在為漏端的電壓最小，即

（2）

因此，VGS- VDS > VTH時，就能產(chǎn)生阻性連接。

對式（1）進行移項并整理，可得

（3）

故導通電阻的表達式為

（4）

或者

（5）

式（4）和式（5）即是NMOS晶體管工作在線性區(qū)時的導通電阻。